智能導(dǎo)波雷達(dá)物位計(jì)ULS34

更新時(shí)間：2024-03-06

簡(jiǎn)要描述：

智能導(dǎo)波雷達(dá)物位計(jì)ULS34高頻徽波脈沖沿著探測(cè)組件（鋼纜或鋼棒）傳播，遇到被測(cè)介質(zhì)，由于介電常數(shù)突變，引起反射，一部分脈沖能量被反射回來(lái)。發(fā)射脈沖與反射脈沖的時(shí)間間隔與被測(cè)介質(zhì)的距離成正比。

智能導(dǎo)波雷達(dá)物位計(jì)ULS34,由原上海自動(dòng)化儀表公司于1993年末改制設(shè)立，向國(guó)內(nèi)發(fā)行A股，向國(guó)外發(fā)行B股的從事儀器儀表經(jīng)營(yíng)生產(chǎn)的上市股份制公司。是國(guó)家大型一檔企業(yè)、“中國(guó)500家zui大工業(yè)企業(yè)"和“全國(guó)工業(yè)企業(yè)技術(shù)開(kāi)發(fā)實(shí)力"之一；是上海市“高新技術(shù)企業(yè)"，也是國(guó)內(nèi)規(guī)模zui大、產(chǎn)品門(mén)類zui全、系統(tǒng)成套能力zui強(qiáng)的自動(dòng)化儀表制造企業(yè)。

智能導(dǎo)波雷達(dá)物位計(jì)發(fā)出的高頻徽波脈沖沿著探測(cè)組件（鋼纜或鋼棒）傳播，遇到被測(cè)介質(zhì)，由于介電常數(shù)突變，引起反射，一部分脈沖能量被反射回來(lái)。發(fā)射脈沖與反射脈沖的時(shí)間間隔與被測(cè)介質(zhì)的距離成正比。

智能導(dǎo)波雷達(dá)物位計(jì)特點(diǎn)

智能導(dǎo)波雷達(dá)物位計(jì)ULS34由于采用了*的微處理器和*的EchoDiscovery回波處理技術(shù)，超聲波物位計(jì)可以應(yīng)用于各種復(fù)雜工況。

多種過(guò)程連接方式及探測(cè)組件的型式，使得ULS3X系列導(dǎo)波雷達(dá)物位計(jì)適于各種復(fù)雜工況及應(yīng)用場(chǎng)合。如：高溫、高壓及小介電常數(shù)介質(zhì)等。

采用脈沖工作方式，導(dǎo)波雷達(dá)物位計(jì)發(fā)射功率極低，可安裝于各種金屬、非金屬容器內(nèi)，對(duì)人體及環(huán)境均無(wú)傷害。

zui大量程	纜：30m/棒：6m	6m
測(cè)量精度	±10mm	±10mm
過(guò)程連接	GI 1/2A、G2A、1 1/2NPT	PTFE法蘭
探測(cè)組件材料	不銹鋼316L/PTFE	PTFE
鋼纜/棒直徑	Ф4mm、Ф6mm/Ф10mm	Ф10mm
過(guò)程溫度	-40…+150℃	-40…+150℃
過(guò)程壓力	-1.0…40bar-	-1.0…16bar-
信號(hào)偷出	兩線制/四線制4…20mA/HART	兩線制/四線制4…20mA/HART

智能導(dǎo)波雷達(dá)物位計(jì)

	ULS33	ULS34
應(yīng)用	液體測(cè)量特別是小介電常數(shù)液體，復(fù)雜過(guò)程條件	液體測(cè)量，高溫高壓工況，復(fù)雜過(guò)程條件
zui大量程	6m	纜：30m/棒：6m
測(cè)量精度	±10mm	±10mm
過(guò)程連接	GI 1/2A、G2A	GI 1/2A、G2A、1 1/2NPT
探測(cè)組件材料	不銹鋼316L/PTFE	不銹鋼316L/陶瓷
鋼纜/棒直徑	Ф28mm	Ф4mm、Ф6mm/Ф10mm
過(guò)程溫度	-40…+150℃	-40…+200℃
過(guò)程壓力	-1.0…40bar-	-1.0…40bar-
信號(hào)偷出	兩線制/四線制4…20mA/HART	兩線制/四線制4…20mA/HART

	ULS35	ULS36
應(yīng)用	液體測(cè)量，高溫高壓工況，復(fù)雜過(guò)程條件	小介電常數(shù)液體及固體測(cè)量，復(fù)雜過(guò)程條件
zui大量程	纜：30m/棒：6m	纜：30m/棒：6m
測(cè)量精度	±10mm	±10mm
過(guò)程連接	GI 1/2A、G2A、1 1/2NPT	GI 1/2A、G2A、1 1/2NPT
探測(cè)組件材料	不銹鋼316L/陶瓷	不銹鋼316L/PTFE
鋼纜/棒直徑	Ф4mm、Ф6mm/Ф10mm	Ф4mm、Ф8mm
過(guò)程溫度	-200…+400℃	-40…+150℃
過(guò)程壓力	真空…400bar-	-1.0…40bar-
信號(hào)偷出	兩線制/四線制4…20mA/HART	兩線制/四線制4…20mA/HART

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